DMT10H010LPS-13 与 BSC160N10NS3 G 区别
| 型号 | DMT10H010LPS-13 | BSC160N10NS3 G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMT10H010LPS-13 | A-BSC160N10NS3 G | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 13.9mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 15ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 25nC | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3000 pF @ 50 V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 21S | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 71 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | PowerDI5060-8 | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.4A(Ta),98A(Tc) | 42A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 5ns | ||||||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta),139W(Tc) | 60W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@13A,10V | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,946 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
￥4.6283
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3,946 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 42A 13.9mΩ 20V 60W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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